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リン化インジウムのウエファー

鉄によって添加されるリン化インジウムのウエファーの全盛の等級4インチのウエファー

Iron Doped Indium Phosphide Wafer Prime Grade 4 Inch Wafer
リン化インジウムのウエファー

鉄によって添加されるリン化インジウムのウエファーの全盛の等級4インチのウエファー

多く
ガリウム窒化物のウエファー

2つのインチのGaNガリウム窒化物の基質支えがない高周波装置使用

2 Inch GaN Gallium Nitride Substrates Freestanding High Frequency Devices Use
ガリウム窒化物のウエファー

2つのインチのGaNガリウム窒化物の基質支えがない高周波装置使用

多く
炭化ケイ素のウエファー

半絶縁SiCの炭化ケイ素の基質6Hの模造の等級10mmx10mm

Semi Insulating SiC Silicon Carbide Substrate 6H Dummy Grade 10mmx10mm
炭化ケイ素のウエファー

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リン化インジウムのウエファー & ガリウム窒化物のウエファー

単結晶のGaNの基質Nのタイプ自由で永続的な電気伝導率

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半シリコン基板の研究の等級を絶縁する4インチのシリコンの薄片

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6インチのガリウム砒素の基質の機械等級抗力が高いNのタイプ

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4インチのInAsのウエファーの全盛の等級Pのタイプ亜鉛添加物の機械等級

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インチUndoped等級のInSbの主なウエファー3赤外線天文学Nのタイプのために

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半導体のGaSbガリウム アンチモン化物のウエファー2インチ テスト等級500±25umの厚さ

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CZ Undoped磨かれたPowerwayのウエファーの単結晶による3インチGEの基質

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半導体のシリコンの薄片FZ Nのタイプ3インチの結晶成長のエピタクシーの技術

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繊維光学AWGのための超薄い厚さのホウケイ酸塩のふたのガラス ウエファー

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ダイオードのトランジスターOpiticalの部品のための半導体のCdZnTeのウエファー

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水晶INP半SIのタイプ光ファイバーの使用を絶縁する3インチのウエファーの模造の等級

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SiはIii窒化物のLDsの高速要求のために支えがないGaNの基質をタイプします

SiはIii窒化物のLDsの高速要求のために支えがないGaNの基質をタイプします

私達がだれであるか
はじめに

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は(PAM-XIAMEN)化合物半導体の物質的な統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業で、そこにです2つの本管分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にします:SiC&GaNの文書(SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー)およびIII-V材料(III-Vの基質...

QC 品質表示

インゴットから、エピタクシーへの基質は、各プロセス監視されます。 測定操作は(epiのウエファーのために)点検ウエファーの測定および生産のウエファーの測定を含んでいます。点検ウエファーのために、私達は主に装置の安定性をテストします、またはウエファーの構造を調節するために、質の点検はまたはバッチ毎日行なわれます;表面の粒子、波長、抵抗、キャリア移動度およびホールは顕微鏡の下で、その後で、遂行します目...

私達に連絡して下さい

アドレス : #506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国

FAX番号 : 86-592-5563272

Eメール : info@qualitymaterial.net

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XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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