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XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD. 会社案内

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  • 生産ライン

    2008年に、2インチの炭化ケイ素のウエファーの生産ラインは首尾よく技術的なダバッギング、今それを実現しますSBD、ピン、MOSFETおよび他の装置のための6インチSiCのウエファーのR & Dそして製造業を完了しました。

     

    XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

     

    PAM-XIAMENは国際的にMOCVDのエピタキシアル炉およびエピタキシアル性格描写装置の6インチの化合物半導体の破片の生産ライン、破片の検出システム、信頼性の試験制度およびアプリケーション開発システムのウエファーを進めました。:ガリウム窒化物(GAN)の半導体の基質材料、GaN/AI2O3合成の基質、GaNの単結晶は基質および水素化合物の蒸気段階のエピタクシー装置(HVPE)、等Siのエピタキシアル ウエファーの150のmm GaNの月例生産能力800wafersに達し、SiCの4-8インチGaN/サファイアのエピタキシアル ウエファーは首尾よく作り出されました。エピタキシアル ウエファーは十分に企業の高圧力の電子デバイスのアプリケ−ション使用要件を満たすことができるエピタキシアル材料の高い水晶質、高い均等性および高い信頼性を維持します。

     

    XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

     

    PAM-XIAMENは力管理で主に、太陽インバーター、電気自動車および産業モーター ドライブおよび他の分野使用されるパワー エレクトロニクスのための6インチ650 Vケイ素ベースのGaNのエピタキシアル ウエファーの大量生産にありました。マイクロウェーブおよび無線周波数の分野では、会社はケイ素ベースのガリウム窒化物のエピタキシアル材料の開発、R & Dを遂行し、無線周波数のウエファーの産業準備はまた進水しました。

     

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  • のOEM / ODM

    PAM-XIAMENはOEMを受け入れますまたはepiのsericeのためのNDAの一致の下のODM順序は、普通、研究者およびエンド ユーザーが固定問題を解決することを好むこれらを採用するために修理された装置設計を調節する必要があるように、です頻繁に多くカスタム設計し。

  • 研究開発

    研究開発および応用研究に焦点を合わせているR & Dのチーム、(基礎研究と比較される)。と別生産の困難な問題を解決すること科学技術部、R & D部はR & Dの仕事より大きいインゴット、より大きいウエファーのサイズしかしより小さい欠陥および弓等を開発する新しいウエファーを、なお研究し、開発すること、です。

連絡先の詳細
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

電話番号: 86-592-5601404

ファックス: 86-592-5563272

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