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| 起源の場所: | 中国 |
| ブランド名: | PAM-XIAMEN |
| 最小注文数量: | 1-10,000pcs |
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| 価格: | By Case |
| 受渡し時間: | 5-50仕事日 |
| 支払条件: | T/T |
| 供給の能力: | 10,000のウエファー/月 |
| 名前: | 半絶縁の炭化ケイ素のウエファー | グレード: | 研究の等級 |
|---|---|---|---|
| 説明: | 半4H基質 | サイズ: | 10mm x 10mm |
| キーワード: | 単結晶SiCのウエファー | 応用分野: | 電子産業 |
| 第一次平らな長さ: | 16.00 ± 1.70 mm | 二次平らな長さ: | 8.00 ± 1.70 mm |
| ハイライト: | semi standard wafer,sic wafer |
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4H半絶縁のシリコン基板、研究の等級、10mm x 10mm
より多くの情報のための私達に連絡して下さい
炭化ケイ素の物質的な特性
| Polytype | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
4H半絶縁のシリコン基板、研究の等級、10mm x 10mm
| 基質の特性 | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| 記述 | 半研究の等級4Hの基質 |
| Polytype | 4H |
| 直径 | （50.8 ± 0.38） mm |
| 厚さ | （250 ± 25） μm （330 ± 25）のμm （430 ± 25）のμm |
| 抵抗(RT) | >1E5 Ω·cm |
| 表面の粗さ | < 0=""> |
| FWHM | <50 arcsec=""> |
| Micropipe密度 | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| 表面のオリエンテーション | |
| 軸線の± <0001>0.5° | |
| ± 0.5°の方の軸線 <11-20>3.5°を離れて | |
| 第一次平らなオリエンテーション | {1-100の} ± 5°を平行にして下さい |
| 第一次平らな長さ | 16.00 ± 1.70 mm |
| 二次平らなオリエンテーションのSi表面:90° cw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| C表面:90° ccw。オリエンテーションの平らな± 5°から | |
| 二次平らな長さ | 8.00 ± 1.70 mm |
| 表面の終わり | 磨かれるシングルまたはダブルの表面 |
| 包装 | 単一のウエファー箱か多ウエファー箱 |
| 使用可能な区域 | ≥ 90% |
| 端の排除 | 1つのmm |
単結晶SiCの特性
ここに私達は炭化ケイ素の特性を、六角形SiCを含んで、CubicSiCの単結晶SiC比較します。
炭化ケイ素の （SiC）の特性
炭化ケイ素の特性の比較、六角形SiCを含んで、立方SiCの単結晶SiC:
| 特性 | 価値 | 条件 |
| 密度 | 3217 kg/m^3 | 六角形 |
| 密度 | 3210 kg/m^3 | 立方 |
| 密度 | 3200 kg/m^3 | 単結晶 |
| 硬度、Knoop （KH） | 2960 kg/mm/mm | 陶磁器100g黒 |
| 硬度、Knoop （KH） | 2745 kg/mm/mm | 陶磁器100g緑 |
| 硬度、Knoop （KH） | 2480 kg/mm/mm | 単結晶。 |
| ヤングの係数 | 700 GPa | 単結晶。 |
| ヤングの係数 | 410.47 GPa | 、density=3120 kg/m/m/m、室温で陶磁器 |
| ヤングの係数 | 401.38 GPa | 、density=3128 kg/m/m/m、室温で陶磁器 |
| 熱伝導性 | 350 W/m/K | 単結晶。 |
| 降伏強さ | 21 GPa | 単結晶。 |
| 熱容量 | 1.46 J/mol/K | 、temp=1550 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.38 J/mol/K | 、temp=1350 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.34 J/mol/K | 、temp=1200 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.25 J/mol/K | 、temp=1000 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.13 J/mol/K | 、temp=700 C.で陶磁器。 |
| 熱容量 | 1.09 J/mol/K | 、temp=540 C.で陶磁器。 |
| 電気抵抗 | 1. 1e+10 Ω*m | 、temp=20 Cで陶磁器 |
| 耐圧強度 | 0.5655。1.3793 GPa | 、temp=25 Cで陶磁器 |
| 破裂の係数 | 0.2897 GPa | 、1つのwt % Bと陶磁器習慣性 |
| 破裂の係数 | 0.1862 GPa | 室温のCeramifc、 |
| ポアソンの比率 | 0.183。0.192 | 、室温で陶磁器、density=3128 kg/m/m/m |
| 破裂の係数 | 0.1724 GPa | 、temp=1300 Cで陶磁器 |
| 破裂の係数 | 0.1034 GPa | 、temp=1800 Cで陶磁器 |
| 破裂の係数 | 0.07586 GPa | 、temp=1400 Cで陶磁器 |
| 引張強さ | 0.03448。0.1379 GPa | 、temp=25 Cで陶磁器 |
*参照:CRCの物質科学および工学手引
単結晶SiC、6Hおよび4Hの特性の比較:
| 特性 | 単結晶4H | 単結晶6H |
| 格子変数 | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| 順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
| バンド ギャップ | 3.26 eV | 3.03 eV |
| 密度 | 3.21·103 kg/m3 | 3.21·103 kg/m3 |
| Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 屈折の索引 | = 2.719無し | = 2.707無し |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| 比誘電率 | 9.6 | 9.66 |
| 熱伝導性 | 490 W/mK | 490 W/mK |
| 故障の電場 | 2-4·108 V/m | 2-4·108 V/m |
| 飽和漂流速度 | 2.0·105 m/s | 2.0·105 m/s |
| 電子移動度 | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| 正孔移動度 | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohsの硬度 | ~9 | ~9 |
*参照:シアムンPowerwayの先端材料Co.、株式会社。
3C SiC、4H SiCおよび6H SiCの特性の比較:
| SiC Polytype | 3C SiC | 4H SiC | 6H SiC |
| 結晶構造 | 亜鉛閃亜鉛鉱（立方） | ウルツ鉱（六角形） | ウルツ鉱（六角形） |
| 対称のグループ | T2d-F43m | C46v-P63mc | C46v-P63mc |
| バルク係数 | 2.5 x 1012のdynのcm-2 | 2.2 x 1012のdynのcm-2 | 2.2 x 1012のdynのcm-2 |
| 線形熱拡張係数 | 2.77 （42） x 10-6 K-1 | ||
| Debyeの温度 | 1200のK | 1300のK | 1200のK |
| 融点 | 3103 （40） K | 3103 ± 40 K | 3103 ± 40 K |
| 密度 | 3.166 g cm3 | 3.21 g cm3 | 3.211 g cm3 |
| 硬度 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| 表面のmicrohardness | 2900-3100のkg mm2 | 2900-3100のkg mm2 | 2900-3100のkg mm2 |
| 比誘電率（静的な） | ε0 ~= 9.72 | 6H SiC比誘電率の価値は通常使用されます | ε0のortの~= 9.66 |
| 赤外線r.i. | ~=2.55 | ~=2.55 （cの軸線） | ~=2.55 （cの軸線） |
| R.i. n （λ） | n （λ）の~= 2.55378 + 3.417 x 104·λ-2 | n0 （λ） ~= 2.5610 + 3.4 x 104·λ-2 | n0 （λ） ~= 2.55531 + 3.34 x 104·λ-2 |
| ne （λ）の~= 2.6041 + 3.75 x 104·λ-2 | ne （λ）の~= 2.5852 + 3.68 x 104·λ-2 | ||
| 放射組み変え係数 | 1.5 x 10-12 cm3/s | 1.5 x 10-12 cm3/s | |
| 光学光子エネルギー | 102.8 MEV | 104.2 MEV | 104.2 MEV |
| 有効な電子固まり（縦方向の） ml | 0.68mo | 0.677(15) mo | 0.29mo |
| 有効な電子固まり（横断） mt | 0.25mo | 0.247(11) mo | 0.42mo |
| 州のmcdの密度の有効質量 | 0.72mo | 0.77mo | 2.34mo |
| 伝導帯mcの1つの谷の州の密度の有効質量 | 0.35mo | 0.37mo | 0.71mo |
| 伝導性mccの有効質量 | 0.32mo | 0.36mo | 0.57mo |
| 国家mvの密度の有効なホール固まりか。 | 0.6 mo | ~1.0 mo | ~1.0 mo |
| 格子定数 | a=4.3596 A | a = 3.0730 A | a = 3.0730 A |
| b = 10.053 | b = 10.053 |
SiCの物質的な特性
炭化ケイ素（SiC）材料は市場に目を向けた製造業プロダクトに研究開発から現在変形しています。SiCの基質は緑、青い、および紫外発光ダイオード(LEDs)の大部分の世界生産のために基盤として現在使用されます。homoepitaxy SiCのための新興市場はSおよびXバンドのための強力な切換え装置そしてマイクロウェーブ装置を含んでいます。SiCの基質のheteroepitaxial GaNベースの構造のための適用はLEDsおよびマイクロウェーブ装置を含んでいます。これらの刺激的な装置結果はSiおよびGaAsと比較されるSiCによって提供される独特な電気およびthermophysical特性の開発から主に生じます。これらの中で次のとおりであって下さい:高温操作および放射抵抗のための大きいbandgap;強力な出力のための高く重大な故障分野;高周波操作のための最高によって飽和させる電子速度;強力な装置の熱管理のためのかなりより高く熱伝導性。
私達について
責任は質の保証であり、質は株式会社の生命です。私達は顧客との長期協同に先に見ています、私達は私達の顧客全員のための販売サービスの後で最もよいサービスを作り。照会があったら、私達に連絡することを躊躇しないで下さい。私達は最初にで私達ができるように答えます。
開発の年後で、私達は完全な販売ネットワークを統合されて会社が時機を得た、正確で、そして有効なサービスを提供することを可能にする確立し、よい顧客の評判に勝ちました国内の売り上げ後のサービス システムを外国に。プロダクトは中国で全体にわたって販売され、ヨーロッパ、アメリカ、東南アジア、南アメリカ、中東およびアフリカのような30以上のヶ国そして地域に輸出されます。生産、売上高およびスケールは同じ企業ですべてランク付けしました最初にです。
6H NのタイプSiCのウエファーの模造の等級C 0001のバルク結晶成長<50のArcsec FWHM
