起源の場所: | 中国 |
ブランド名: | PAM-XIAMEN |
最小注文数量: | 1-10,000pcs |
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パッケージの詳細: | 、単一の容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる |
受渡し時間: | 5-50仕事日 |
支払条件: | T/T |
供給の能力: | 10,000のウエファー/月 |
製品名: | 等級のInAsの主なウエファー | 伝導のタイプ: | Pのタイプ |
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ウエファーの厚さ: | 900±25um | ウエファーDiamter: | 4 インチ |
グレード: | 主な等級 | キーワード: | インジウムのヒ化物のInAsのウエファー |
EPD: | <3x104cm-2> | 弓: | <15um> |
ハイライト: | n type wafer,3 inch wafer |
Pは、InAs (インジウムのヒ化物)のウエファー、4"、主な等級タイプします
4" InAsのウエファーの指定
項目 | 指定 |
添加物 | 亜鉛 |
伝導のタイプ | Pタイプ |
ウエファーの直径 | 4" |
ウエファーのオリエンテーション | (100) ±0.5° |
ウエファーの厚さ | 900±25um |
第一次平らな長さ | 16±2mm |
二次平らな長さ | 8±1mm |
キャリア集中 | (1-10) x1017cm-3 |
移動性 | 100-400cm2/V.s |
EPD | <3x10>4cm-2 |
TTV | <15um> |
弓 | <15um> |
ゆがみ | <20um> |
レーザーの印 | 要望に応じて |
Sufaceの終わり | 、P/P P/E |
準備ができたEpi | はい |
パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット |
バルク係数 | 5.8·1011のdynのcm-2 |
融点 | 942 °C |
比熱 | 0.25 J g-1 °C-1 |
熱伝導性 | 0.27 W cm-1 °C-1 |
温度伝導率 | 0.19 cm2s-1 |
線形熱拡張 | 4.52·10-6 °C-1 |
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線形拡張係数の温度の依存 (低温) |
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線形拡張係数の温度の依存 (高温) |
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ネルンスト係数(ネルンストEttinghausenの横断効果)の温度の依存 77Kの電子集中 (cm3):1. 2.96·1016;2. 4.46·1016;3. 8.43·1016;4. 4.53·1017;5. 1.56·1018;6. 2.28·1018;7. 5·1018;8. 1.68·1019。 |
融点Tm = 1215のK。
飽和蒸気圧力(パスカルで):
950 K - 2のため·10-3、
1000 Kのため- 10-2の、
1050 Kのため- 10-1の。
バルク係数 | 5.8·1011のdynのcm-2 |
融点 | 942 °C |
比熱 | 0.25 J g-1 °C-1 |
熱伝導性 | 0.27 W cm-1 °C-1 |
温度伝導率 | 0.19 cm2s-1 |
線形熱拡張 | 4.52·10-6 °C-1 |
![]() |
熱伝導性の温度の依存。
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高温のための熱伝導性の温度の依存 電子集中 (cm3):1. 5·1016;2. 2·1016;3. 3·1016。 |
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一定した圧力の比熱の温度の依存 |
298Kのため < T="">
Cp= 0.240 + 3.97·10-5·T (J g-1°C -1)。
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線形拡張係数の温度の依存 (低温) |
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線形拡張係数の温度の依存 (高温) |
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ネルンスト係数(ネルンストEttinghausenの横断効果)の温度の依存 77Kの電子集中 (cm3):1. 2.96·1016;2. 4.46·1016;3. 8.43·1016;4. 4.53·1017;5. 1.56·1018;6. 2.28·1018;7. 5·1018;8. 1.68·1019。 |
融点Tm = 1215のK。
飽和蒸気圧力(パスカルで):
950 K - 2のため·10-3、
1000 Kのため- 10-2の、
1050 Kのため- 10-1の。
私達について
連続的な改善、追求の良質のレベル。私達の非常に熱心な販売スタッフは行くことから決してこと余分マイル顧客の期待に応え、超過することを避けませんでした。私達は同じ忠誠および献身と私達の顧客、問題彼らのビジネスのサイズまたは企業を扱いません。
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6H NのタイプSiCのウエファーの模造の等級C 0001のバルク結晶成長<50のArcsec FWHM