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半導体のGaSbガリウム アンチモン化物のウエファー2インチ テスト等級500±25umの厚さ

半導体のGaSbガリウム アンチモン化物のウエファー2インチ テスト等級500±25umの厚さ

Semiconductor GaSb Gallium Antimonide Wafer 2 Inch Test Grade 500±25um Thickness

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: PAM-XIAMEN

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最小注文数量: 1-10,000pcs
価格: By Case
受渡し時間: 5-50仕事日
支払条件: T/T
供給の能力: 10,000のウエファー/月
接触
詳細製品概要
製品名: GaSbのウエファー 他の名前: Pはガリウム アンチモン化物のウエファーをタイプします
フィーチャー: 等級をテストして下さい 添加物: 亜鉛
ウエファーの厚さ: 500±25um ウエファーの直径: 2"
ゆがみ: <12um> 弓: <10um>
ハイライト:

2 inch wafer

,

4 inch wafer

Pは、GaSb (ガリウム アンチモン化物)のウエファー、2"、テスト等級-半導体ウエハーの製造業タイプします
 
2" GaSbのウエファーの指定

項目 指定
添加物 亜鉛
伝導のタイプ Pタイプ
ウエファーの直径 2"
ウエファーのオリエンテーション (100) ±0.5°
ウエファーの厚さ 500±25um
第一次平らな長さ 16±2mm
二次平らな長さ 8±1mm
キャリア集中 (5-100) x1017cm-3
移動性 200-500cm2/V.s
EPD <2x10>3cm-2
TTV <10um>
<10um>
ゆがみ <12um>
レーザーの印 要望に応じて
Sufaceの終わり 、P/P P/E
準備ができたEpi はい
パッケージ 単一のウエファー容器かカセット

GaSbのウエファーのバンド構造およびキャリア集中

GaSbのウエファーのバンド構造およびキャリア集中は流体静力学圧力へのエネルギー ギャップの基本的な変数、温度、依存、依存、有効質量、提供者およびアクセプターを含んでいます

 

原料からの生産への質の点検、および配達。

専門の品質管理人、顧客に流れる不適当なプロダクトを避けるため。

原料、生産および配達への厳密な点検。

完全な一連の質の実験室の装置。

 

基本的な変数

エネルギー ギャップ 0.726のeV
ΓとL谷間のエネルギー分離(EΓL) 0.084のeV
ΓおよびXの谷間のエネルギー分離(EΓX) 0.31のeV
エネルギー回転軌道分裂 0.80のeV
本質的なキャリア集中 1.5·1012 cm3
本質的な抵抗 103 Ω·cm
州の有効な伝導帯密度 2.1·1017 cm3
州の有効な原子価バンド密度 1.8·1019 cm3

 

半導体のGaSbガリウム アンチモン化物のウエファー2インチ テスト等級500±25umの厚さ GaSbのバンド構造およびキャリア集中。300 K
例えば= 0.726のeV
EL = 0.81のeV
前の= 1.03のeV
Eso = 0.8のeV

浅い提供者(eV)のイオン化エネルギー

Te (L) Te (X) Se (L) Se (X) S (L) S (X)
~0.02 ≤0.08 ~0.05 ~0.23 ~0.15 ~0.30

典型的な供給の集中Nd≥ 1017 cm3のためにΓ谷と接続された浅い供給の州は現われませんでした。

浅いアクセプター(eV)のイオン化エネルギー:

undoped GaSbの支配的なアクセプターは原産の欠陥のようです。
このアクセプターは二倍にイオン化可能です

Ea1 Ea2 Si GE Zn
0.03 0.1 ~0.01 ~0.009 ~0.037

 

私達について

 

連続的な改善、追求の良質のレベル。私達の非常に熱心な販売スタッフは行くことから決してこと余分マイル顧客の期待に応え、超過することを避けませんでした。私達は同じ忠誠および献身と私達の顧客、問題彼らのビジネスのサイズまたは企業を扱いません。

 

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連絡先の詳細
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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