単結晶のリン化インジウムのウエファーの高い純度4インチの全盛の等級

Pは、高い純度の単結晶のリン化インジウムのウエファー、4"、主な等級タイプします

 

INPウエファーは何ですか。

リン化インジウムはGaAsおよびケイ素に半導体の物質的な類似していますが、多く隙間商品です。それは非常に高速処理の開発で非常に有効で、原料を集め、開発することはすばらしい長さのためにGaAsより高いです。INPウエファーに関係するように私達をリン化インジウムについてのもう少しの事実を見てみることを許可して下さい。

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高い電界の輸送特性

	INPの電子漂流速度の依存、300 K.の守備について下さい。 固体カーブは理論的な計算です。 紛砕され、点を打たれたカーブは測定されたデータです。 （MaloneyおよびFrey [1977年]）および（Gonzalezサンチェスの 等[1992年]）。
	高い電界のための電子漂流速度の分野の依存。 T （K）:1. 95;2. 300;3. 400。 （Windhornの の等  [1983年]）。
	異なった温度で電子漂流速度の依存の守備について下さい。 1 -77 K （Gonzalezサンチェスの の等  [1992年]）曲げて下さい。 カーブ2 - 300 K、3つ曲げて下さい- 500 Kを（FawcettおよびHill [1975年]）。
	電子温度対77 Kおよび300 K.のための電界。 （MaloneyおよびFrey [1977年]）
	電界の機能としてLおよびXの谷nL/noおよびnX/no、300 K.の電子の一部分。 （BorodovskiiおよびOsadchii [1987年]）。
	効率のηの最初は（実線）そしてLSAモードの第2 （破線の）倍音の頻度依存。 モンテ カルロのシミュレーション。 F = Fo + F1·罪（2π·ft） + F2·[罪（4π·ft） +3π/2]、 Fo=F1=35 kV cm-1、 F2=10.5 kV cm-1 （BorodovskiiおよびOsadchii [1987年]）。
	縦方向（D||F）および横断（300 K.のDの⊥ F）の電子拡散係数。 アンサンブルのモンテ カルロのシミュレーション。 （Aishimaおよび福島[1983年]）。
	縦方向（D||F）および横断（77KのDの⊥ F）の電子拡散係数。 アンサンブルのモンテ カルロのシミュレーション。 （Aishimaおよび福島[1983年]）。

光電子工学の適用

INPはレーザーを基づかせ、LEDsは12 µmまで1200 nmの非常に広い範囲のライトを出すことができます。このライトはデジタル化された世界のすべての区域で繊維によって基づく電気通信およびデータ通信の適用のために使用されます。ライトはまた適用を感じるために使用されます。一方では例えば非常に薄くされたガスを検出するためにある特定の波長が問題と相互に作用するように必要の分光適用があります。光電子工学のterahertzは超高感度の分光検光子、ポリマーのそして自動車産業の多層コーティングの検出のための厚さの測定で使用されます。一方ではそれらが目の金庫であるので特定のINPレーザーの巨大な利点があります。放射は人間の目のガラス質ボディで吸収され、網膜に害を与えることができません。LiDARのINPレーザーは（軽い検出および及ぶこと）未来およびオートメーション工業の移動性のための主要部分です。

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