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鉄によって添加されるリン化インジウムのウエファーの全盛の等級4インチのウエファー

鉄によって添加されるリン化インジウムのウエファーの全盛の等級4インチのウエファー

Iron Doped Indium Phosphide Wafer Prime Grade 4 Inch Wafer

商品の詳細:

起源の場所: 中国
ブランド名: PAM-XIAMEN

お支払配送条件:

最小注文数量: 1-10,000pcs
パッケージの詳細: 、単一の容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる
受渡し時間: 5-50仕事日
支払条件: T/T
供給の能力: 10,000のウエファー/月
接触
詳細製品概要
レーザーマーキング: 要望に応じて 伝導のタイプ: 半絶縁します
製品名: リン化インジウムの基質のウエファー 応用分野: 600±25um
ウエファーDiamter: 4 インチ キーワード: 単結晶のリン化インジウムのウエファー
Suface の終わり: 、P/P P/E グレード: 主な等級
ハイライト:

test grade wafer

,

epi ready wafer

、鉄添加されたリン化インジウムの基質半絶縁して、4"は、等級の発動を促します
 
、リン化インジウムの基質半絶縁して、4"は、等級の発動を促します

4" INPウエファーの指定   
項目指定
伝導のタイプSIタイプ
添加物
ウエファーの直径4"
ウエファーのオリエンテーション100±0.5°
ウエファーの厚さ600±25um
第一次平らな長さ16±2mm
二次平らな長さ8±1mm
キャリア集中≤3x1016cm-3(0.8-6) x1018cm-3(0.6-6) x1018cm-3N/A
移動性(3.5-4) x103cm2/V.s(1.5-3.5) x103cm2/V.s50-70cm2/V.s>1000cm2/V.s
抵抗N/AN/AN/A>0.5x107Ω.cm
EPD<1000cm>-2<1x10>3cm-2<1x10>3cm-2<5x10>3cm-2
TTV<15um>
<15um>
ゆがみ<15um>
レーザーの印要望に応じて
Sufaceの終わり、P/P P/E
準備ができたEpiはい
パッケージ単一のウエファー容器かカセット
 

INPウエファーは何ですか。
 

リン化インジウムはGaAsおよびケイ素に半導体の物質的な類似していますが、多く隙間商品です。それは非常に高速処理の開発で非常に有効で、原料を集め、開発することはすばらしい長さのためにGaAsより高いです。INPウエファーに関係するように私達をリン化インジウムについてのもう少しの事実を見てみることを許可して下さい。

光学感知の適用

危ない物質の分光感知の見当の環境保護そして同一証明
•成長する分野はINPの波長の政体に基づいていました感じています。ガスの分光学のための1つの例は実時間測定を用いるドライブ試験装置のです(COの二酸化炭素、窒素化合物[または+ NO2])。
•ガスおよび液体の有毒物質(を含む水道水)または表面汚染の跡の速い証明ppbのレベルに。
•例えば食糧(だめにされた食糧の早期発見)の非破壊的な製品管理のための分光学
•大気汚染制御の多くの新しい適用のための分光学は、特に今日論議されて、実施は方法にあります。

 

鉄によって添加されるリン化インジウムのウエファーの全盛の等級4インチのウエファー電子ホール移動性は対別の添加のための温度水平になります。
最下のカーブ- no=Nd-Na=8·1017 cm3;
中間のカーブ- no=2·1015 cm3;
上のカーブ- no=3·1013 cm3。
(Razeghi等[1988年])および(Walukiewicz??等の  [1980年])。
鉄によって添加されるリン化インジウムのウエファーの全盛の等級4インチのウエファー電子ホール移動性対温度(高温):
最下のカーブ- no=Nd-Na~3·1017 cm3;
中間のカーブ- no~1.5·1016 cm3;
上のカーブ- no~3·1015 cm3。
(GalavanovおよびSiukaev [1970年])。

300のKの電子ドリフト移動度の近くの温度の弱く添加されたn INPのため:

µn = (4.2÷5.4)·103·(300/T) (cm2V-1 s-1)

鉄によって添加されるリン化インジウムのウエファーの全盛の等級4インチのウエファーホール移動性対異なった補償の比率のための電子集中。
θ = Na/Nd、77 K。
ダッシュで結ばれるカーブは理論的な計算です:1. θ = 0;2. θ = 0.2;3. θ = 0.4;4. θ = 0.6;5. θ = 0.8;
(Walukiewiczの の等  [1980年])。
実線は平均の観察された値(アンダーソンの の等  [1985年])です。
鉄によって添加されるリン化インジウムのウエファーの全盛の等級4インチのウエファーホール移動性対異なった補償の比率のための電子集中
θ =Na/Nd、300 K。
ダッシュで結ばれるカーブは理論的な計算です:1. θ = 0;2. θ = 0.2;3. θ = 0.4;4. θ = 0.6;5. θ = 0.8;
(Walukiewiczの の等  [1980年])。
実線は平均の観察された値(アンダーソンの の等  [1985年])です。

電子ホール移動性のためのおおよその方式

Μ=ΜOH/[1+ (Nd/107) 1/2]、
ΜOH=5000 cm2V-1 s-1ところ、
cm3 (のNd- Hilsum [1974年])
300 K、n INPの電子ホールの要因rn≈1。
のためNd > 1015 cm3。

鉄によって添加されるリン化インジウムのウエファーの全盛の等級4インチのウエファーホール移動性に対異なった添加の(Znの)レベルのための温度穴をあけて下さい。
300 Kの穴集中:1. 1.75·1018 cm3;2. 3.6·1017 cm3;3. 4.4·1016 cm3。
θ=Na/Nd~0.1.
(Kohanyukの の等  [1988年])。

300 Kの近くの温度の弱く添加されたp INPのためホール移動性

µpH~150·(300/T) 2.2 (cm2V-1 s-1)。

鉄によって添加されるリン化インジウムのウエファーの全盛の等級4インチのウエファー穴のホール移動性対穴密度、300 K (ワイリー[1975年])。
穴のホール移動性のためのおおよその方式:
µp=µpo/[1 + (Na/2·1017) 1/2]、ところµpo~150 cm2V-1 s-1、cm3のNa-

300 K、純粋なp INPの穴の要因:rp~1
 
PAM-XIAMENは光電子工学の適用のための高い純度の単結晶のリン化インジウムのウエファーを製造します。私達の標準的なウエファーの直径は25.4 mm (1インチ)から200のmm (6インチ)まで及びます;ウエファーは磨かれたかつや出しされていない側面とのさまざまな厚さそしてオリエンテーションで作り出し、添加物を含むことができます。PAM-XIAMENは広い範囲の等級を作り出すことができます:主な等級、テスト等級、模造の等級、技術的な等級および光学等級。PAM-XIAMENはまた注文の構成に加えて要求によってコマーシャルおよび研究の塗布および新しい専有技術のための顧客の指定に材料を、提供します。
 
サービス
 
7X24時間の電話顧問サービスは利用できます。
応答および解決はカスタマー サービスの要求に8時間以内に提供されます。
アフターセールス サポートは顧客のために心配を残さない7X24時間の基礎で利用できます。
 
原料からの生産への質の点検、および配達。
専門の品質管理人、顧客に流れる不適当なプロダクトを避けるため。
原料、生産および配達への厳密な点検。
完全な一連の質の実験室の装置。

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XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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