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ガリウム砒素のウエファー

半絶縁のガリウム砒素のウエファー磨かれるCMPが付いている4インチの全盛の等級

半絶縁のガリウム砒素のウエファー磨かれるCMPが付いている4インチの全盛の等級

接触
Epiの半6インチの主な等級を絶縁する準備ができたガリウム砒素の基質

Epiの半6インチの主な等級を絶縁する準備ができたガリウム砒素の基質

接触
2インチのガリウム砒素のウエファーの準備ができた低い腐食ピット密度の全盛の等級Epi

2インチのガリウム砒素のウエファーの準備ができた低い腐食ピット密度の全盛の等級Epi

接触
低いEPDの全盛の等級3のインチPのタイプ ウエファーが付いているGaAsのガリウム砒素の基質

低いEPDの全盛の等級3のインチPのタイプ ウエファーが付いているGaAsのガリウム砒素の基質

接触
100つのオリエンテーションPのタイプ テスト等級のウエファーが付いている4インチのガリウム砒素のウエファー

100つのオリエンテーションPのタイプ テスト等級のウエファーが付いている4インチのガリウム砒素のウエファー

接触
Undoped半導体GaAsのウエファー3インチの模造の等級350~675umの厚さ

Undoped半導体GaAsのウエファー3インチの模造の等級350~675umの厚さ

接触
3インチのガリウム砒素のウエファーの模造の等級VGF方法SCの伝導のタイプ

3インチのガリウム砒素のウエファーの模造の等級VGF方法SCの伝導のタイプ

接触
PはZnによって添加されるGaAsのウエファーに2インチ テスト等級のPowerwayのウエファーLEDの塗布をタイプします

PはZnによって添加されるGaAsのウエファーに2インチ テスト等級のPowerwayのウエファーLEDの塗布をタイプします

接触
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リン化インジウムのウエファー

4インチのリン化インジウムのウエファーPのタイプ テスト等級INP Epi準備ができたウエファー

単結晶のリン化インジウムのウエファーの高い純度4インチの全盛の等級

Feによって添加されるINPテスト等級のウエファー4"半絶縁の光学感知の適用

ガリウム窒化物のウエファー

LED HEMTの構造のための2インチ ガリウム窒化物のウエファーの大きさのGaNの基質

2つのインチのGaNガリウム窒化物の基質支えがない高周波装置使用

2インチGaNの半導体レーザーのためのバルクUガリウム窒化物のウエファーのEpiの準備ができたウエファー

炭化ケイ素のウエファー

6H NのタイプSiCのウエファーの模造の等級C 0001のバルク結晶成長<50のArcsec FWHM

軸線Sicの炭化ケイ素のウエファーで4H Nを離れた4つのDegは生産の等級をタイプします

等級の炭化ケイ素のウエファー6H SiCの磨かれる半標準的なウエファーCmpを研究して下さい

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