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インジウムのヒ化物のウエファー

Undopedインジウムのヒ化物のウエファーのInAsの半導体ウエハー3インチの全盛の等級

Undopedインジウムのヒ化物のウエファーのInAsの半導体ウエハー3インチの全盛の等級

接触
Pは100 111オリエンテーションのInAsの基質に3インチのダミーの等級をタイプします

Pは100 111オリエンテーションのInAsの基質に3インチのダミーの等級をタイプします

接触
単結晶のInAsのインジウムのヒ化物のウエファー3インチの全盛の等級Pのタイプ

単結晶のInAsのインジウムのヒ化物のウエファー3インチの全盛の等級Pのタイプ

接触
Znによって添加されるInAsのウエファーの単結晶2インチ テスト等級のウエファーPのタイプ

Znによって添加されるInAsのウエファーの単結晶2インチ テスト等級のウエファーPのタイプ

接触
主な等級のインジウムのヒ化物のウエファーのZnは2インチのInAs Epiの準備ができたウエファーを添加しました

主な等級のインジウムのヒ化物のウエファーのZnは2インチのInAs Epiの準備ができたウエファーを添加しました

接触
インジウムのヒ化物のInAsのウエファー4インチのUndoped主な等級の直接Bandgapの文書

インジウムのヒ化物のInAsのウエファー4インチのUndoped主な等級の直接Bandgapの文書

接触
Undopedインジウムのヒ化物のウエファー4インチのEpi準備ができたテスト等級Nのタイプ

Undopedインジウムのヒ化物のウエファー4インチのEpi準備ができたテスト等級Nのタイプ

接触
模造の等級のInAsのウエファーの半導体3インチの光学等級の商用アプリケーション

模造の等級のInAsのウエファーの半導体3インチの光学等級の商用アプリケーション

接触
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リン化インジウムのウエファー

4インチのリン化インジウムのウエファーPのタイプ テスト等級INP Epi準備ができたウエファー

単結晶のリン化インジウムのウエファーの高い純度4インチの全盛の等級

Feによって添加されるINPテスト等級のウエファー4"半絶縁の光学感知の適用

ガリウム窒化物のウエファー

LED HEMTの構造のための2インチ ガリウム窒化物のウエファーの大きさのGaNの基質

2つのインチのGaNガリウム窒化物の基質支えがない高周波装置使用

2インチGaNの半導体レーザーのためのバルクUガリウム窒化物のウエファーのEpiの準備ができたウエファー

炭化ケイ素のウエファー

6H NのタイプSiCのウエファーの模造の等級C 0001のバルク結晶成長<50のArcsec FWHM

軸線Sicの炭化ケイ素のウエファーで4H Nを離れた4つのDegは生産の等級をタイプします

等級の炭化ケイ素のウエファー6H SiCの磨かれる半標準的なウエファーCmpを研究して下さい

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