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GEのウエファー

EPD 2のインチ200~550umの厚さのPowerwayのゲルマニウムGEのウエファー

EPD 2のインチ200~550umの厚さのPowerwayのゲルマニウムGEのウエファー

接触
111 100 110オリエンテーション4のインチVGFの成長方法の本質的なゲルマニウムのウエファー

111 100 110オリエンテーション4のインチVGFの成長方法の本質的なゲルマニウムのウエファー

接触
単結晶のゲルマニウムGEのウエファー3のインチPのタイプGaによって添加される電子工学の等級

単結晶のゲルマニウムGEのウエファー3のインチPのタイプGaによって添加される電子工学の等級

接触
低い腐食ピット密度EpiのUndopedゲルマニウムのウエファーは6インチを用意します

低い腐食ピット密度EpiのUndopedゲルマニウムのウエファーは6インチを用意します

接触
ゲルマニウムGEのウエファー2インチの単一のCzochralskiの結晶成長のPEの表面の終わり

ゲルマニウムGEのウエファー2インチの単一のCzochralskiの結晶成長のPEの表面の終わり

接触
CZ Undoped磨かれたPowerwayのウエファーの単結晶による3インチGEの基質

CZ Undoped磨かれたPowerwayのウエファーの単結晶による3インチGEの基質

接触
光学等級GEのウエファーのモノラル結晶のアンチモンの添加物の商業使用

光学等級GEのウエファーのモノラル結晶のアンチモンの添加物の商業使用

接触
Pは太陽電池のPowerwayの半標準的なウエファーのためのゲルマニウムの基質をタイプします

Pは太陽電池のPowerwayの半標準的なウエファーのためのゲルマニウムの基質をタイプします

接触
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リン化インジウムのウエファー

4インチのリン化インジウムのウエファーPのタイプ テスト等級INP Epi準備ができたウエファー

単結晶のリン化インジウムのウエファーの高い純度4インチの全盛の等級

Feによって添加されるINPテスト等級のウエファー4"半絶縁の光学感知の適用

ガリウム窒化物のウエファー

LED HEMTの構造のための2インチ ガリウム窒化物のウエファーの大きさのGaNの基質

2つのインチのGaNガリウム窒化物の基質支えがない高周波装置使用

2インチGaNの半導体レーザーのためのバルクUガリウム窒化物のウエファーのEpiの準備ができたウエファー

炭化ケイ素のウエファー

6H NのタイプSiCのウエファーの模造の等級C 0001のバルク結晶成長<50のArcsec FWHM

軸線Sicの炭化ケイ素のウエファーで4H Nを離れた4つのDegは生産の等級をタイプします

等級の炭化ケイ素のウエファー6H SiCの磨かれる半標準的なウエファーCmpを研究して下さい

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